Conclusion

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CHAPITRE I : CONCEPT DU MODULE COMPLEMENTAIRE DE

I.5. Conclusion

Figure I.26.  Tension VSD du p‐MOSFET au blocage dans un hacheur série Ventrée=200V,  I=4A, f= 50kHz  

 Au  final,  lʹapproche  PB‐CMOS  introduite  et  développée  dans  ce  premier  chapitre  conduit à un nouveau compromis revenant au concepteur entre le coût du silicium et celui  de plus grands composants passifs pour le filtre de la CEM, de plus de composants actifs et  passifs pour le contrôle commande et encore celui dʹun système de refroidissement plus ou  moins compliqué. Cʹest tout l’enjeu de ce travail de thèse que dʹaborder quelques uns de ces  points.  L’analyse  du  rendement  de  plusieurs  solutions  PB‐CMOS  sera  abordée  dans  le  prochain chapitre. 

I.5. Conclusion 

Dans  ce  premier  chapitre,  nous  avons  rappelé  la  problématique  du  module  de  puissance.  Ensuite,  l’état  de  l’art  des  évolutions  techniques  et  technologiques  des  constituants  du  module  est  présenté,  sous  plusieurs  angles  de  vue,  du  semi‐conducteur  au  packaging.  Pour  s’inscrire  dans  ce  contexte  en  pleine  évolution,  nous  avons  proposé  d’utiliser la technologie complémentaire qui est de longue date mise de côté dans le monde  des  convertisseurs  de  puissance  pour  des  raisons  de  performances  intrinsèques  des  composants de puissance de type P. En se basant sur la conception globale du convertisseur,  nous  avons  introduit  les  principaux  gains  potentiels  offerts  par  les  convertisseurs  Power 

Buffer‐CMOS.  L’inconvénient  majeur,  qui  concerne  les  pertes  supplémentaires  dues  aux  composants  complémentaires,  est  également  discuté  et  la  solution  proposée  reste  un  compromis, un nouveau choix pour le concepteur des convertisseurs de puissance. Enfin, le  concept  d’un  nouveau  module  de  puissance  Power  Buffer‐CMOS  polyphasé  a  été  présenté  en  intégrant  tous  les  avantages  exposés  ci‐dessus.  Dans  les  prochains  chapitres,  chaque  aspect  de  la  technologie  complémentaire  sera  analysé  et  validé  par  la  simulation  et  l’expérimentation.  La  conception  de  composants  complémentaires  multipuces  sera  également présentée. 

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[15]   Stéphane  LEFEBVRE  and  Bernard  MULTON,  “Commande  des  semi‐conducteursde  puissance: principes,” Techniques de l’ingénieur. 

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[30]   O.  Deleage,  J.‐C.  Crebier,  M.  Brunet,  Y.  Lembeye,  and  H.  Tran  Manh,  “Design  and  realization of highly integrated isolated DC/DC micro‐converter,” in Energy Conversion 

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[45]   N. Rouger,  J.‐C. Crebier, and S. Catellani, “High‐Efficiency and Fully Integrated Self‐ Powering  Technique  for  Intelligent  Switch‐Based  Flyback  Converters,”  Industry 

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CHAPITRE II

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